Der Begriff „Sputtern“ (engl.: zerstäuben) bezeichnet in der Beschichtungstechnik das Herauslösen von Partikeln (Atomen, Ionen oder Molekülen) aus einem Festkörper-Target durch Ionenbeschuss.

Hierzu werden Ionen typischerweise aus einem Gas erzeugt und in Richtung des Targets beschleunigt. Dort kollidieren sie mit den Atomen des Targets. Die Ursprungsionen, sowie die gestörten Partikel bewegen sich durch das Material und kollidieren mit weiteren Atomen. Die meisten Ionen und getroffenen Atome verbleiben dabei im Material, jedoch wird ein geringer Teil der Atome durch diesen Prozess zur Oberfläche hin gestreut. Ein Teil dieser Partikel verlässt das Target und bewegt sich in Richtung des Substrats, um dort als Schicht zu kondensieren.

Beim Magnetron-Sputtern erzeugt man die notwendigen Ionen durch eine Gasentladung, die direkt vor dem Target brennt. Diese kann z.B. durch Anlegen einer elektrischen Gleichspannung bzw. durch eine Wechselspannung angeregt werden (DC-Sputtern bzw. RF-Sputtern). Im Fall der Gleichspannungsanregung besteht das Target aus einer Scheibe hochreinen Metalls, beispielsweise Titan. Beim RF-Sputtern können aber auch dielektrische Targets wie z.B. Titanoxid verwendet werden. Wird der Gasentladung ein reaktives Gas wie z.B. Sauerstoff hinzugefügt, führt dies zur Bildung von chemischen Reaktionsprodukten wie z.B. Oxiden.

Aufgrund der vergleichsweise hohen kinetischen Energien (Ek∼10 eV) der schichtbildenden Teilchen weisen gesputterte Schichten eine amorphe Mikrostruktur und eine hohe Packungsdichte (nahezu die des Festkörpers) auf.

Die thermische Belastung der Substrate während der Beschichtung ist kleiner als bei der konventionellen Bedampfung.